Оптимизация конструкции внутрисхемных соединений ГИС СВЧ-диапазона

В данном сборнике представлена подборка статей по тематике совершенствования конструкции и технологии изготовления гибридных интегральных схем (ГИС) СВЧ-диапазона, путем оптимизации конструкции выводов кристаллов полупроводниковых приборов и внутрисхемных соединений. Показано преимущество использования плоских соединений из гальванически осаждаемого золота толщиной несколько микрон с клиновидными участками в их составе. Применение разработанной конструкции соединений в ГИС различных изделиях позволяет существенно улучшить электрические характеристики устройств различного назначения, а именно: повысить коэффициент усиления, расширить рабочий частотный диапазон, снизить коэффициент шума в верхней части частотного диапазона. Полученные результаты опробованы в серийном производстве и внедрены при массовом выпуске изделий с использованием ГИС СВЧ-диапазона.