LAP Lambert Academic Publishing ( 29.06.2011 )
€ 59,00
Проекционная литография с длиной волны 193 нм в настоящее время является ключевой технологией при производстве элементов микроэлектроники с помощью которой осуществляется "запись" топологического рисунка на фоторезисте с последующим проявлением. Благодаря применению различных методов улучшения изображений разрешение литографических установок уже превзошло дифракционный предел и достигает 32 нм. Ценой этого является ограниченный набор топологий, снижение производительности и дороговизна литографического процесса. Экономически выгодное освоение технологических норм 10-30 нм связывается с литографией экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) диапазона, в котором основой оптических элементов являются многослойные интерференционные структуры (МИС). Несмотря на успехи, подтвердившие перспективы ЭУФ литографии для формирования наноструктур, на пути к коммерческому литографу на 13,5 нм предстоит решить ещё ряд научных и технологических проблем. В данной работе предлагаются методы диагностики и оптимизации МИС, изучаются чувствительность и разрешение ЭУФ резистов, источники ЭУФ излучения, получены первые изображения методом контактной литографии.
Kitap detayları: |
|
ISBN-13: |
978-3-8443-5292-4 |
ISBN-10: |
3844352929 |
EAN: |
9783844352924 |
Kitabın dili: |
Russian |
Yazar: |
Алексей Пестов |
Sayfa sayısı: |
160 |
Yayın tarihi: |
29.06.2011 |
Kategori: |
Fizik, astronomi |