LAP Lambert Academic Publishing ( 2012-04-06 )
€ 49,00
Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления. В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Описана динамическая комбинированная модель ячейки на основе структур ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник, отличающаяся учетом переключения намагниченности ферромагнитного слоя магнитным полем, а также макромодель для использования в составе программных комплексов проектирования ИМС. Книга предназначена для инженеров и научных сотрудников, а также может быть полезна для аспирантов и студентов старших курсов, использующих модели электронных элементов в своих исследованиях.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-3-8484-4593-6 |
ISBN-10: |
384844593X |
EAN: |
9783848445936 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Александр Костров |
Number of pages: |
112 |
Published on: |
2012-04-06 |
Category: |
Electronics, electro-technology, communications technology |