Металл-Si(1-х) Ge(х) переходы на основе Al, Au, Ni и Ti

Как известно, на основе переходов металл-полупроводник (МП) и металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) создаются современные микросхемы и электронные компоненты. В таких МП и МДП структурах состояние поверхности полупроводника, его однородность и фазовый состав играют определяющую роль в формировании энергетического барьера. Имеющиеся литературные данные носят противоречивый характер – с ростом содержания германия в монокристаллах Si(1-x)Ge(x) наблюдается как рост высоты барьера, так и его уменьшение. Исследованные в работе структуры создавались путем вакуумного термического напыления слоев металлов (Al,Au,Ni и Ti) на поверхность монокристаллов Si(1-x)Ge(x) с различной концентрацией поверхностных состояний Nss, величина которой зависела от режима химического травления монокристаллов. Показано, что при большой концентрации Nss высота барьера, почти не зависит от типа металлов. В образцах с малой концентрацией Nss высота барьера растет с ростом содержания германия в кристаллах и достигает до ~1эВ (рекордная величина для материала на основе кремния). Книга предназначена для специалистов в области полупроводникового материаловедения.