AB INITIO теория электрон-фононных процессов в полупроводниках

Электрон-фононное взаимодействие играет фундаментальную роль в понимании процессов транспорта заряда и тепла в кристаллах, сверхпроводимости, температурной зависимости оптических спектров, релаксации энергии в быстро-протекающих процессах в высоковозбужденных кристаллах и др. Представлена теория, позволяющая из первых принципов рассчитывать процессы рассеяния электронов на фононах с произвольной длиной волны в полупроводниках. Для кремния, германия и группы бинарных полупроводников впервые самосогласованным образом рассчитаны параметры рассеяния электронов на коротко-волновых фононах. С их помощью проведены вычисления с выходом за пределы приближения времени релаксации для определения термоэлектрических характеристик в кремнии. На этой основе построена методика для расчета времен жизни, обусловленных рассеянием на коротковолновых фононах, для мелких примесных уровней в кремнии, а также экситонов в фосфиде галлия и в германии в условиях всестороннего внешнего давления. Приложения содержат справочный материал для численного моделирования кинетических процессов в полупроводниках. Книга предназначена для специалистов в области теории твердого тела, аспирантов и студентов