Силовые диоды и транзисторы на основе карбида кремния

В книге обобщены результаты исследований по созданию силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) и рассмотрены особенности их работы. Приведены варианты конструкций и основные характеристики силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния - диодов Шоттки и транзисторов (биполярных, полевых, с управляющим p-n-переходом, с изолированным затвором и др.). Представлен обзор большого массива современных экспериментальных и теоретических результатов по силовым полупроводниковым приборам на основе SiC (расчетов прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов Шоттки, особенностей «охранных систем», характеристик обратного восстановления, сопротивления диодов при прямом включении, влияния материалов анода на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки, расчеты пространственного распределения свободных электронов в МОП-транзисторах со встроенным n-каналом на основе 4H-SiC и др.). Для научных работников и инженеров, занимающихся исследованиями в области физики полупроводников, силовой электроники, физики твердого тела, а также студентов и аспирантов, специализирующихся в этих областях.