Физико-технологические основы получения тонких пленок CdTe

Цель работы является изучение физических и технологических процессов получения эффективных тонких пленок теллурида кадмия со столбчатой структурой зерен (кристаллов), в которых зерни пронизывают всю толщину пленок (d=3-5 мкм). Анализ литературных данных показывает, что пока не разработан наиболее перспективный метод получения тонких фоточувствительных пленок теллурида кадмия. Поэтому приставляет большой научный и практический интерес определение физические и технологические основы получение тонких фоточувствительных пленок теллурида кадмия. Конкретизированы физические и технологические принципы получения тонких фоточувствительных пленок CdTe по методам сублимации в потоке водорода, магнетронно - ионного распыления. И получение пленок по методу вакуумного распыления в квазизамкнутом системе. Проведен термодинамический расчет кинетики роста пленок CdTe при синтезе их методом сублимации в потоке водорода и путем распыления в вакууме в квазизамкнутом системе. Также проведен расчет и для магнетронного ионного распыления. При этом установлено оптимальные технологические параметры роста пленок со стехиометрическим составом.