LAP Lambert Academic Publishing ( 30.12.2013 )
€ 32,90
Монография М.Е. Зобова и Е.М. Зобова содержит обширный систематизированный материал, касающийся природы, характеристических параметров и особенностей проявления электронных центров прилипания и рекомбинации в ZnS, ZnSe, ZnO. Подробно рассмотрены неравновесные явления в этих широкозонных материалах, которые отражают особенности влияния внутренних электрических и упругих полей, созданных в моно-, микро- и нанокристаллах макроскопическими дефектами, на процессы прилипания, генерации и рекомбинации носителей заряда. Продемонстрированы возможности управления внутренними электрическими и упругими полями внешними воздействиями (электрическое поле, одноосное давление, ультразвук). Книга будет полезна многочисленным специалистам – физикам, работающим в области исследований глубоких центров в полупроводниках и их технических применений в оптоэлектронике, а также аспирантам и студентам, специализирующихся в этой области.
Детали книги: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-51144-8 |
ISBN-10: |
3659511447 |
EAN: |
9783659511448 |
Язык книги: |
Russian |
By (author) : |
Марат Зобов |
Количество страниц: |
104 |
Опубликовано: |
30.12.2013 |
Категория: |
Электричество, магнетизм, оптика |