Исследование влияния конструкции контактного слоя и его рецесса

В выпускной квалификационной работе исследовалось влияние конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах на гетероструктурах на основе AlGaAs/InGaAs. Были изучены основные принципы работы PHEMT нанотранзисторов и программные средства, позволяющие численно промоделировать работу транзистора. Выбраны наиболее подходящие для поставленной задачи модели. С помощью программного обеспечения Sentaurus рассчитаны и построены графики ВАХ, распределения потенциала, напряженности электрического поля, скорости и концентрации электронов вдоль канала транзистора для различной концентрации легирования контактного слоя.