LAP Lambert Academic Publishing ( 17.06.2019 )
€ 39,90
В выпускной квалификационной работе исследовалось влияние конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах на гетероструктурах на основе AlGaAs/InGaAs. Были изучены основные принципы работы PHEMT нанотранзисторов и программные средства, позволяющие численно промоделировать работу транзистора. Выбраны наиболее подходящие для поставленной задачи модели. С помощью программного обеспечения Sentaurus рассчитаны и построены графики ВАХ, распределения потенциала, напряженности электрического поля, скорости и концентрации электронов вдоль канала транзистора для различной концентрации легирования контактного слоя.
Kitap detayları: |
|
ISBN-13: |
978-620-2-02585-0 |
ISBN-10: |
6202025859 |
EAN: |
9786202025850 |
Kitabın dili: |
Russian |
Yazar: |
Марат Фаритович Тагиров |
Sayfa sayısı: |
52 |
Yayın tarihi: |
17.06.2019 |
Kategori: |
Elektrik, manyetizma, optik |