Применение ионно-лучевого травления при удалении пассивации микросхем

В данной работе приведён аналитический обзор отечественной и зарубежной литературы по методу сухого вакуумного травления материалов, представлен обзор применяемой методики исследования. В работе представлены результаты оптимизации процессов реактивно-ионного плазменного и ионно-лучевого травления пассивационных слоёв интегральных микросхем в рамках технологии анализа отказов. В организационно-экономической части представлены расчёты стоимости и целесообразности данных исследований. Результатом проведённой работы стала новая методика удаления пассивационных слоёв интегральных микросхем в рамках технологии анализа отказов, отличающаяся от существующих высокой степенью планаризации поверхности кристалла интегральной схемы при минимальном повреждении межслойного диэлектрика.