Газоразрядные процессы на контакте полупроводника-газоразрядная плазма

В монографии предложена новая конструкция полупроводниковой фотографической системы, которая фотоприемником инфракрасного излучения до λ = 4,2 служит Si (Pt). Результаты численного расчета об оптимальном легировании методом термодиффузии фотоприемника Si (Pt) сравниваются с экспериментальными данными. Приводятся фото-и термоэлектрические характеристики фотографической системы. Монография для научных и инженерных - технических работников, специалистов в области физики и техники полупроводников. Она может быть предоставлена ​​магистрам и докторантам, а также студентам университетов и высших учебных заведений, специализирующимися по полупроводниковой микроэлектронике.