LAP Lambert Academic Publishing ( 22.10.2021 )
€ 49,90
В монографии предложена новая конструкция полупроводниковой фотографической системы, которая фотоприемником инфракрасного излучения до λ = 4,2 служит Si (Pt). Результаты численного расчета об оптимальном легировании методом термодиффузии фотоприемника Si (Pt) сравниваются с экспериментальными данными. Приводятся фото-и термоэлектрические характеристики фотографической системы. Монография для научных и инженерных - технических работников, специалистов в области физики и техники полупроводников. Она может быть предоставлена магистрам и докторантам, а также студентам университетов и высших учебных заведений, специализирующимися по полупроводниковой микроэлектронике.
Kitap detayları: |
|
ISBN-13: |
978-620-4-21212-8 |
ISBN-10: |
6204212125 |
EAN: |
9786204212128 |
Kitabın dili: |
Russian |
Yazar: |
Х.Т. Йулдашев |
Sayfa sayısı: |
120 |
Yayın tarihi: |
22.10.2021 |
Kategori: |
Teorik fizik |