LAP Lambert Academic Publishing ( 2013-07-10 )
€ 54,90
Книга посвящена разработке и исследованию прототипа элемента ReRAM (мемристора) на основе биполярного резис-тивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных пленках ниобия. В работе приводится обзор литературы по изучаемой проблеме, представлены результаты поэтапной разработки и экспериментального исследования прототипа мемристора с точки зрения особенностей технологии его получения, присущих ему свойств и характеристик, анализа влияния внешних и внутренних факторов и др. Итогом работы является впервые разработанный и исследованный прототип элемента памяти ReRAM на основе биполярного резистивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных плен-ках ниобия. Показаны высокая практическая значимость и пер-спективность данного вида переключения для разработки ReRAM, определены дальнейшие направления исследований.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-40561-7 |
ISBN-10: |
3659405612 |
EAN: |
9783659405617 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Вадим Куроптев |
Number of pages: |
104 |
Published on: |
2013-07-10 |
Category: |
Electronics, electro-technology, communications technology |