Элемент ReRAM на основе нестехиометрических анодных оксидов ниобия

Книга посвящена разработке и исследованию прототипа элемента ReRAM (мемристора) на основе биполярного резис-тивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных пленках ниобия. В работе приводится обзор литературы по изучаемой проблеме, представлены результаты поэтапной разработки и экспериментального исследования прототипа мемристора с точки зрения особенностей технологии его получения, присущих ему свойств и характеристик, анализа влияния внешних и внутренних факторов и др. Итогом работы является впервые разработанный и исследованный прототип элемента памяти ReRAM на основе биполярного резистивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных плен-ках ниобия. Показаны высокая практическая значимость и пер-спективность данного вида переключения для разработки ReRAM, определены дальнейшие направления исследований.